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20μmの「極薄」パワー半導体ウエハーを初公開、Infineon

20μmの「極薄」パワー半導体ウエハーを初公開、Infineon

Infineonがパワー半導体ウエハーを20μmの薄さまで研磨する技術を発表、基板抵抗を下げることで電力損失を下げることができるとのこと。

20μmの「極薄」パワー半導体ウエハーを初公開、Infineon
https://eetimes.itmedia.co.jp/ee/articles/2411/22/news111.html

東芝マテリアルを1500億円で売却 日本特殊陶業に
https://eetimes.itmedia.co.jp/ee/articles/2411/25/news190.html

インドは新しい半導体ハブとなるか 初の300mmファブ建設へ
https://eetimes.itmedia.co.jp/ee/articles/2411/19/news061.html

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