株式会社e-skett 電子回路設計 コンサルティング

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Samsung、3nm「GAA FET」の量産を2021年内に開始か

Samsung、3nm「GAA FET」の量産を2021年内に開始か

Samsungは微細化の限界を克服するGAA(Gate All Around:チャネルを囲むようにゲートを形成する技術)で3nmの量産を2021年に開始予定とのこと。

Samsung、3nm「GAA FET」の量産を2021年内に開始か
http://eetimes.jp/ee/articles/1805/25/news065.html

AB級の品質を提供する、デジタルD級アンプ
http://ednjapan.com/edn/articles/1805/25/news028.html

世界が注目するEVモーターの高効率化原理について考えてみよう
http://ednjapan.com/edn/articles/1805/22/news006.html

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